產品等級優級品
產地/廠商廣東
是否危險化學品否
含量≥99.99
品牌鼎偉新材料
氧化鎵是一種新興的功率半導體材料,其帶隙大于硅,氮化鎵和碳化硅,但在成為電力電子產品的主要參與者之前,仍需要開展更多的研發和推進工作

LOSFIA在日本成功地了使用實現常關MOSFET 的可能性 。這是一項具有開創性的工作,因為生產常關MOSFET一直被認為挑戰性。FLOSFIA計劃制造剛玉(corundum,一種晶體結構)α-Ga 2 O 3功率器件,GaO 系列,從TO-220中的肖特基勢壘二極管(SBD)開始,然后是MOSFET。

該材料在各種應用中的靈活性源于其廣泛的可能導電性 - 由于其電場強度,從高導電性到非常絕緣性和高擊穿電壓能力。因此,氧化鎵可以達到極端程度。大面積的氧化鎵晶圓也可以從熔體中生長,從而降低了制造成本

二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料,是科學研究的重要材料。
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