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金錫合金靶材：精密鍍膜的核心材料
在半導體、光伏和顯示面板等行業，金錫合金靶材憑借其獨特的性能成為不可或缺的鍍膜材料。
這種合金通常由金（Au）和錫（Sn）按特定比例組成，常見比例為Au80Sn20或Au70Sn30，具有低熔點、高導熱性和優異的焊接性能。
金錫合金靶材的核心優勢在于其穩定的化學性質和良好的潤濕性。
在真空鍍膜過程中，它能夠形成均勻致密的薄膜，有效提升電子元器件的導電性和耐腐蝕性。
尤其在芯片封裝領域，金錫合金薄膜可以替代傳統焊料，實現更精細的焊接效果，減少虛焊問題。
然而，金錫合金靶材的制備工藝要求極高。
熔煉環節需要精確控制溫度，避免成分偏析；后續的軋制和切割工序也需保證靶材內部無缺陷。
此外，由于金屬于貴金屬，這類靶材成本較高，通常僅用于高附加值產品。
未來，隨著微電子器件向小型化發展，金錫合金靶材的需求將進一步增長。
研發方向可能集中在優化成分配比、降低制備成本，以及探索與其他金屬的復合應用，以平衡性能與經濟效益。
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